米国マサチューセッツ州ローウェルに拠点を置くMACOMテクノロジーソリューションズ社（RF、マイクロ波、アナログ、ミックスシグナル、および光学半導体技術の設計と製造を行う企業）が、米国空軍研究所（AFRL）から約400万ドルの複数年契約を受けました。この契約は、GaN-on-SiCに関連する先進的な半導体プロセス技術の開発を目的としています。
この契約により、MACOMは、ミリ波モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）製品に使用されるGaN-on-SiCプロセス技術に関する研究開発を行うことになります。
MACOMの社長兼CEOであるStephen G. Daly氏は、「この受賞は、高周波および高電力MMIC技術と製品のリーダーシップを確立する戦略をサポートしています」と述べています。
2021年1月、MACOMとAFRLは共同研究開発協定（CRADA）を結び、AFRLの製品用に完全に準備された0.14μmのGaN-on-SiCプロセスをMACOMのマサチューセッツ州にある米国信頼性のあるファウンドリーに移管しました。このプロセスの移管は完了し、技術は現在、生産に利用できる状態です。
新たに受賞された契約により、MACOMは既存のGaN-on-SiC技術の性能向上を進め、次世代のミリ波航空宇宙・防衛および商業用MMICアプリケーションをサポートすることが資金提供されます。
元記事
https://semiconductor-today.com/news_items/2023/jul/macom-190723.shtml
参考
https://www.semiconductor-today.com/news_items/2023/jun/macom-010623.shtml
https://www.semiconductor-today.com/news_items/2021/jan/macom-afrl-260121.shtml