GaN中の点欠陥形成エネルギーを計算した論文

GaN中の点欠陥の形成エネルギーや準位を第一原理計算で計算した論文を紹介します。

タイトル：A first-principles understanding of point defects and impurities in GaN

著者：John L. Lyons, Darshana Wickramaratne, Chris G. Van de Walle

URL：https://doi.org/10.1063/5.0041506

GaN中の点欠陥の形成エネルギーについてまとめた図はこちら。論文Fig2

点欠陥の作る準位についてまとめられた図はこちら。論文Fig4, Fig6

GaNの不純物と置換するサイト

不純物	置換するサイト	アクセプタ/ドナー
Be	Ga	アクセプタ
C	N	アクセプタ
O	N	ドナー
Mg	Ga	アクセプタ
Si	Ga	ドナー
Mn	Ga	アクセプタ
Fe	Ga	アクセプタ
Ge	Ga	ドナー
Sn	Ga	ドナー

参考

第一原理計算によるフォノンの計算
https://sciencompass.com/phys-engineer/semiconductor_physics/dft_phonon

GaAsのフォノンを計算した論文

https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.43.7231