基板に薄膜を成膜すると、薄膜にかかる応力によって基板が反ります。この反りから薄膜にかかる応力を計算する式がストーニーの式である。
ストーニーの式は次のようにあらわされる
ストーニーの式を使って応力を計算するプログラムを作成し、GitHubで公開している。もしよければ使ってみてほしい。
https://github.com/shigeki34/stoney_equation
試しに、GaN on SiCの基板にかかる応力を上式を使って計算してみる。
SiC, GaN, AlNのヤング率、ポアソン比は下表のとおりである[4] – [6]。
ヤング率[GPa] | ポアソン比 | |
SiC | 748 | 0.21 |
GaN | 150 | 0.23 |
AlN | 308 | 0.287 |
基板のサイズは4インチ、基板の反りは上に凸で20umと仮定すると、約1.2GPaとなる。
参考文献
[1]山寺, “薄膜の熱応力測定と制御” 豊田中央研究所R&D レビュー vol 34 No.1(1999.3)
[2]Hoffman, D. W., Physics of Thin Films, 3(1966), 211, New York Academic.
[3]https://github.com/shigeki34/stoney_equation
[4]http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/SiC/mechanic.html
[5]http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/mechanic.html
[6]http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlN/mechanic.html