結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は正方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が […]
格子面間隔の計算方法-正方晶-
カテゴリー: 半導体物理
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格子面間隔の計算方法-立方晶-
結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は立方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が […]
【高周波トランジスタ】化合物半導体の物性
現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。ここでは、各種半導体の高周波特性に関係のある物性についてまとめます。 化合物半導体 半導体は元素半導体と化合物半導体の二種類があ […]
HZB、ペロブスカイト/Siのタンデム構造太陽電池で、変換効率の新記録を達成
これまで太陽電池はSiやGaAsなどの半導体によって作成されており、現在までに25%まで効率が上がってきています。そんな中、次世代の太陽電池の材料として、ペロブスカイトが期待されています。ペロブスカイト膜は、溶液を塗布す […]
GaNパワーデバイスが実用化！-Ankerジャパンの充電器-
次世代のパワーデバイスとして注目されていたGaNパワーデバイスですが、なかなか商用化されて普及してきませんでした。ところが、ついにGaN パワーデバイスが商品化するというニュースが発表されました。 ようやくGaNパワーデ […]
GaNの光電気化学反応
LEDやパワーデバイスに使われているGaNの光電気化学反応について紹介します。ここでは、光電気化学セルと光電気化学エッチングの２つを紹介します。 GaNを用いた光電気化学セル 光電気化学セルとは？ 光電気化学セルとは太陽 […]
【半導体物理】Poole-Frenkel伝導
絶縁膜中の電子は局在している準位に捕獲されています。この局在準位は絶縁膜中の欠陥や不純物が原因と考えられています。実際には、酸素欠損や構造的な乱れなどがトラップ準位の起源となることが多く、SiO₂やAl₂O₃といった一般 […]
【半導体物理】Si基板上へのGaN成長【結晶成長】
GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパワーデバイス、高周波デバイスに利用されています。特に、2014年のノーベル物理学賞はGaNの結晶成長に関する研 […]
【半導体物理】キャリア密度とシート抵抗
半導体の製造現場ではウェハのシート抵抗測定が行われています。その目的とシート抵抗に関係するキャリア密度について数式を用いながら、まとめていきます。 シート抵抗を測定する目的 半導体ウェハの評価項目の一つにシート抵抗測定が […]
半導体物理：結晶構造（4）
今回は、逆格子について説明します。今回の記事で、半導体物理の基礎としての結晶構造の話は最後になります。逆格子はわかりにくい内容ですが、X線回折による結晶性の評価を行う際に役立つ内容です。私も仕事でX線回折をしていますが、 […]
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