第１章 1.1 を使って計算すればよい。 Al: 波数 5.539e9 (1/m), 波長 1.134 nm […]
投稿者: sciencompass34
はじめまして！”あおやぎ”と言います。
メーカーで研究開発の仕事をしています。このブログでは、私の専門分野である半導体やそれに関連する内容を紹介していきます。
半導体関連の知識をまとめたデータベースのようにしたいなと思っています。
GaN MOVPE成長におけるTMGaとTEGaの使い分け
GaNの結晶成長の際によく用いられるGaの有機金属原料にトリメチルガリウム(TMGa)とトリエチルガリウム(T […]
GaN HEMT における C/Fe 複合ドープバッファ
この論文では、Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT において、単層 C ドープバッファと C/Fe 複合ドープバッファの電気的・ノイズ・ダイナミック特性を比較評価している。
中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング特性に与える影響
本記事では、14 MeV中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング過渡特性（transient response）にどのような影響を与えるかを詳細に解析した研究
Butler, P.A. et al., IEEE Trans. Nuclear Sci., 65, 2862 (2018)
を紹介します。
high-kゲート絶縁膜のためのナノスケールシミュレーション
high-k膜の界面構造、結晶化や相分離について分子動力学計算をもちいて解析した論文について紹介する。
フォトルミネッセンス分光のおさらい – ゼロフォノンライン（Zero Phonon Line）-
半導体や絶縁体の光学的特性を調べるときによく登場するのが、フォトルミネッセンス分光です。
PLは、物質に光を照射して発光スペクトルを測定することで、電子構造・欠陥・励起子などの情報を得る手法です。
この記事では、PLの原理からZPLの物理的意味、そしてそれに関連する現象を解説します。
界面を制御して発光特性を調整：MoS₂–GaN（0001）ヘテロ構造の光学応答メカニズム
近年、2次元半導体であるモノレイヤーMoS₂は、その強い励起子によって可視域での優れた発光特性を示すため注目を集めています。一方、GaNは紫外〜青領域の発光材料として広く用いられており、これらを垂直に積層した2D–3Dヘテロ構造は、広帯域の光デバイスや効率的な光吸収体を作るうえで有望です。
FeドープGaNの電子移動度と抵抗率の温度依存性
GaNは青色LEDやパワーデバイスで知られる重要な半導体材料です。鉄をドープしたGaNは、高抵抗の絶縁層として使われ、HEMTなどで欠かせない材料です。
ドーピング濃度に対する抵抗率や温度依存性を理論計算を用いて詳しく解析した論文を紹介します。
AIが原子の世界を解き明かす：ニューラルネットワークポテンシャル（NNP）の進化
導入 「AIが分子や材料の性質を予測する時代が来た」と言われても、少しピンとこないかもしれません。しかし、ニュ […]
SiNx膜の秘密を解く：原子比が左右する光と電気のふるまい
導入 スマートフォンや電気自動車、太陽電池――。これらのデバイスを支えるのは、わずか数マイクロメートルの薄膜材 […]
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