金属表面の物理を論ずる際、最も基本的かつ深遠な現象の一つが「電子のしみ出し(Spill-out)」である。これは、金属内部の電子密度が量子力学的な波動性によって真空側へと指数関数的に減衰しながら漏れ出す現象を指す。表面電子分布を精密に記述する「補正ジェリウムモデル」から、吸着・プラズモニック応答までを体系的に紐解く。
金属表面の物理を論ずる際、最も基本的かつ深遠な現象の一つが「電子のしみ出し(Spill-out)」である。これは、金属内部の電子密度が量子力学的な波動性によって真空側へと指数関数的に減衰しながら漏れ出す現象を指す。表面電子分布を精密に記述する「補正ジェリウムモデル」から、吸着・プラズモニック応答までを体系的に紐解く。
水銀CV(Mercury Probe CV)測定を想定する場合、金属(水銀)と半導体の間に形成されるショットキ […]
製品の寿命予測や故障した際の原因推定のためにワイブルプロットを用います。
ここではその考え方をまとめます。
論文等からまとめたAlN中の主なPL発光波長とその起因をまとめました。 中心エネルギー (eV) 波長 (nm […]
― 格子緩和・内部応力・結晶秩序の観点から ― 1. 研究背景と未解決問題 ScAlN は、wurtzite […]
第1章 1.1 を使って計算すればよい。 Al: 波数 5.539e9 (1/m), 波長 1.134 nm […]
GaNの結晶成長の際によく用いられるGaの有機金属原料にトリメチルガリウム(TMGa)とトリエチルガリウム(T […]
この論文では、Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT において、単層 C ドープバッファと C/Fe 複合ドープバッファの電気的・ノイズ・ダイナミック特性を比較評価している。
本記事では、14 MeV中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング過渡特性(transient response)にどのような影響を与えるかを詳細に解析した研究
Butler, P.A. et al., IEEE Trans. Nuclear Sci., 65, 2862 (2018)
を紹介します。
high-k膜の界面構造、結晶化や相分離について分子動力学計算をもちいて解析した論文について紹介する。
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