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投稿者: sciencompass34

はじめまして!”あおやぎ”と言います。 メーカーで研究開発の仕事をしています。このブログでは、私の専門分野である半導体やそれに関連する内容を紹介していきます。 半導体関連の知識をまとめたデータベースのようにしたいなと思っています。

金属表面における電子のしみ出し(Spill-out)効果

金属表面の物理を論ずる際、最も基本的かつ深遠な現象の一つが「電子のしみ出し(Spill-out)」である。これは、金属内部の電子密度が量子力学的な波動性によって真空側へと指数関数的に減衰しながら漏れ出す現象を指す。表面電子分布を精密に記述する「補正ジェリウムモデル」から、吸着・プラズモニック応答までを体系的に紐解く。

中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング特性に与える影響

本記事では、14 MeV中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング過渡特性(transient response)にどのような影響を与えるかを詳細に解析した研究
Butler, P.A. et al., IEEE Trans. Nuclear Sci., 65, 2862 (2018)
を紹介します。

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