結晶成長 | sciencompass

エピタキシャル成長における不純物取り込みの物理：移動境界拡散モデル

半導体デバイスの性能を決定づける要因の一つが、結晶成長中における不純物（ドーパント）の分布制御である。エピタキシャル成長では、成長フロントが刻々と移動しながら薄膜が堆積されるため、固体中の拡散と表面での取り込みが複雑に絡み合う。この「動く界面」をいかに数学的に記述するか解説する。

本報告では、ウルツ鉱構造を持つGaNやAlNなどのIII族窒化物半導体において、(0001)金属極性面と(00 […]

GaNの結晶成長の際によく用いられるGaの有機金属原料にトリメチルガリウム(TMGa)とトリエチルガリウム(T […]

はじめに高分解能TEM(HRTEM)では結晶格子像から転位を観察できるが、らせん転位(screw disl […]

GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパ […]

青色LEDやパワーデバイス、高周波デバイスにGaNが使われている。半導体デバイスにおいて、デバイスを作るには基 […]

仕事で使うMOCVD装置は、危険なガスを使っている。そのため、定期的に講習会が開かれている。今回はそのときに勉 […]

仕事での出来事の備忘録として書き記そうと思う。 MOCVD装置で成長を開始しようと、いつもの手順で排気ラインを […]