半導体デバイスの性能を決定づける要因の一つが、結晶成長中における不純物（ドーパント）の分布制御である。エピタキシャル成長では、成長フロントが刻々と移動しながら薄膜が堆積されるため、固体中の拡散と表面での取り込みが複雑に絡み合う。この「動く界面」をいかに数学的に記述するか解説する。

本報告では、ウルツ鉱構造を持つGaNやAlNなどのIII族窒化物半導体において、(0001)金属極性面と(000-1)窒素極性面でEBSD（電子後方散乱回折）パターンがどのように変化し、なぜ極性判別が可能なのかについて、 […]

青色LEDやパワーデバイス、高周波デバイスにGaNが使われている。半導体デバイスにおいて、デバイスを作るには基板の上に所望の構造の結晶を成長させる必要がある。研究用途では、MBEによるGaNの結晶成長が行われているが、工 […]

仕事で使うMOCVD装置は、危険なガスを使っている。そのため、定期的に講習会が開かれている。今回はそのときに勉強したことをまとめていく。 As/Pを使うMOCVD装置の配管メンテ As/Pを使うMOCVD装置は配管のメン […]

仕事での出来事の備忘録として書き記そうと思う。 MOCVD装置で成長を開始しようと、いつもの手順で排気ラインを切り替えたところ、配管の圧力がいつもより速いスピードで下がっていった。何が原因なのか調べたところ、バキュームポ […]