物理学・工学 | sciencompass

化合物半導体ニュース週刊ダイジェスト｜10/30号　300mm窒化ガリウムは反りに勝てるか

Posted on 2026年11月1日 | By sciencompass34 | No comments

300mmのシリコンに窒化ガリウムを載せると、成長温度から冷えるだけでウェハは反り、ときに割れる。それでもInfineonは約11億ユーロを投じ、2027年末に300mm GaNの量産を始めるという。今週は「口径」と […]

化合物半導体ニュース週刊ダイジェスト｜10/23号　窒化ガリウムは「貼り替え」の時代へ

Posted on 2026年11月1日 | By sciencompass34 | No comments

デバイスは同じまま、GaNをサファイアからタングステンへ貼り替えただけで熱抵抗が3分の1になった。今週はそんな話からSi基板の改質まで、結晶そのものの改善に加えて「別の材料とどう組み合わせるか」のニュースが並んだ。結晶成 […]

電界誘起二次高調波発生（EFISHG）の物理的原理と半導体デバイス評価への応用

Posted on 2026年6月3日 | By sciencompass34 | No comments

本稿では、物質の空間反転対称性の破れを利用して、デバイス内部の局所電界を非破壊かつオペランドで計測・可視化する光学的手法であるEFISHG：電界誘起二次高調波発生について、その基礎理論からデバイス評価における優位性、具体的な応用例までを解説する。

エピタキシャル成長における不純物取り込みの物理：移動境界拡散モデル

Posted on 2026年5月31日 | By sciencompass34 | No comments

半導体デバイスの性能を決定づける要因の一つが、結晶成長中における不純物（ドーパント）の分布制御である。エピタキシャル成長では、成長フロントが刻々と移動しながら薄膜が堆積されるため、固体中の拡散と表面での取り込みが複雑に絡み合う。この「動く界面」をいかに数学的に記述するか解説する。

酸化ガリウム（β-Ga2O3）のp型伝導制御：フラットバンドと自己補償効果による限界の考察

Posted on 2026年5月4日 | By sciencompass34 | No comments

酸化ガリウムにおける p 型導電性の欠如は、その電子構造、熱力学的安定性、および他の酸化物と比較した際の材料特性に起因する多面的な課題です。以下に、提供された資料に基づく統合的な解説をまとめます。

EBSDによるIII族窒化物半導体の結晶極性判別メカニズムに関する報告

Posted on 2026年4月5日 | By sciencompass34 | No comments

本報告では、ウルツ鉱構造を持つGaNやAlNなどのIII族窒化物半導体において、(0001)金属極性面と(000-1)窒素極性面でEBSD（電子後方散乱回折）パターンがどのように変化し、なぜ極性判別が可能なのかについて、 […]

金属表面における電子のしみ出し（Spill-out）効果

Posted on 2026年3月21日 | By sciencompass34 | No comments

金属表面の物理を論ずる際、最も基本的かつ深遠な現象の一つが「電子のしみ出し（Spill-out）」である。これは、金属内部の電子密度が量子力学的な波動性によって真空側へと指数関数的に減衰しながら漏れ出す現象を指す。表面電子分布を精密に記述する「補正ジェリウムモデル」から、吸着・プラズモニック応答までを体系的に紐解く。