本報告では、ウルツ鉱構造を持つGaNやAlNなどのIII族窒化物半導体において、(0001)金属極性面と(00 […]
EBSDによるIII族窒化物半導体の結晶極性判別メカニズムに関する報告
カテゴリー: 物理学・工学
物理学・工学関連の記事をまとめたカテゴリーです
金属表面における電子のしみ出し（Spill-out）効果
金属表面の物理を論ずる際、最も基本的かつ深遠な現象の一つが「電子のしみ出し（Spill-out）」である。これは、金属内部の電子密度が量子力学的な波動性によって真空側へと指数関数的に減衰しながら漏れ出す現象を指す。表面電子分布を精密に記述する「補正ジェリウムモデル」から、吸着・プラズモニック応答までを体系的に紐解く。
ワイブルプロットを使った故障解析
製品の寿命予測や故障した際の原因推定のためにワイブルプロットを用います。
ここではその考え方をまとめます。
AlN の代表的な PL 発光と起因
論文等からまとめたAlN中の主なPL発光波長とその起因をまとめました。 中心エネルギー (eV) 波長 (nm […]
熱アニールによるScAlN圧電特性の異常増強
― 格子緩和・内部応力・結晶秩序の観点から ― 1. 研究背景と未解決問題 ScAlN は、wurtzite […]
低次元半導体の物理 問題演習
第１章 1.1 を使って計算すればよい。 Al: 波数 5.539e9 (1/m), 波長 1.134 nm […]
GaN MOVPE成長におけるTMGaとTEGaの使い分け
GaNの結晶成長の際によく用いられるGaの有機金属原料にトリメチルガリウム(TMGa)とトリエチルガリウム(T […]
GaN HEMT における C/Fe 複合ドープバッファ
この論文では、Si 基板上に成長した AlGaN/GaN HEMT において、単層 C ドープバッファと C/Fe 複合ドープバッファの電気的・ノイズ・ダイナミック特性を比較評価している。
中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング特性に与える影響
本記事では、14 MeV中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング過渡特性（transient response）にどのような影響を与えるかを詳細に解析した研究
Butler, P.A. et al., IEEE Trans. Nuclear Sci., 65, 2862 (2018)
を紹介します。
high-kゲート絶縁膜のためのナノスケールシミュレーション
high-k膜の界面構造、結晶化や相分離について分子動力学計算をもちいて解析した論文について紹介する。
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