近年、2次元半導体であるモノレイヤーMoS₂は、その強い励起子によって可視域での優れた発光特性を示すため注目を集めています。一方、GaNは紫外〜青領域の発光材料として広く用いられており、これらを垂直に積層した2D–3Dヘテロ構造は、広帯域の光デバイスや効率的な光吸収体を作るうえで有望です。
界面を制御して発光特性を調整：MoS₂–GaN（0001）ヘテロ構造の光学応答メカニズム
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第一原理計算によるフォノン計算についてまとめる。
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GaN中の点欠陥形成エネルギーを計算した論文
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