
米国マサチューセッツ州ローウェルに拠点を置くMACOMテクノロジーソリューションズ社(RF、マイクロ波、アナロ […]
物理学・工学関連の記事をまとめたカテゴリーです
米国マサチューセッツ州ローウェルに拠点を置くMACOMテクノロジーソリューションズ社(RF、マイクロ波、アナロ […]
このプログラムは第一原理計算の計算が収束しているかどうかを簡単にチェックするためのツールです。計算結果から”total energy”の値を抽出し、その値を用いて折れ線グラフを描画します。このグラフを通じて、計算が進むにつれて”total energy”がどのように減少していくかを視覚的に確認し、計算が収束しているかどうかを判断することができます。また、Quantum Espressoの出力データ以外のデータ解析や可視化においても、このような手法を活用して効率的な作業ができます。
序文 近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]
MIS構造において、一般的には絶縁膜は1種類の単層膜だが、2つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […]
エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。
基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。
LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; […]
SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。
パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイス […]
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