こんにちは、皆さん!今日は三菱電機がノベルクリスタルテクノロジーに出資したという興味深いニュースをお届けします […]
カテゴリー: 物理学・工学
物理学・工学関連の記事をまとめたカテゴリーです
結晶の単位格子の種類と面間隔の式一覧
XRDや電子線回折などを用いて結晶を評価するときや、第一原理計算で材料物性を計算するときなど、結晶の格子の面間 […]
IQE、2023年上半期の収益が少なくとも5200万ポンドを予測
IQE株式会社は、ウェールズのカーディフに本社を置くエピウェハおよび基板メーカーです。同社は最新の監査前のアッ […]
Wolfspeedは中国のガリウムとゲルマニウムの輸出制限に影響を受けないと発表
Wolfspeed社の供給チェーンは、中国の商務省が提案しているガリウムとゲルマニウムの輸出制限に影響を受けな […]
MACOMが米空軍から400万ドルの契約を受け、GaN-on-SiCプロセス技術を更に開発
米国マサチューセッツ州ローウェルに拠点を置くMACOMテクノロジーソリューションズ社(RF、マイクロ波、アナロ […]
第一原理計算の収束チェックツール:total energyの確認
このプログラムは第一原理計算の計算が収束しているかどうかを簡単にチェックするためのツールです。計算結果から”total energy”の値を抽出し、その値を用いて折れ線グラフを描画します。このグラフを通じて、計算が進むにつれて”total energy”がどのように減少していくかを視覚的に確認し、計算が収束しているかどうかを判断することができます。また、Quantum Espressoの出力データ以外のデータ解析や可視化においても、このような手法を活用して効率的な作業ができます。
GaN HEMTを活用し家庭用IHヒータの新たな可能性を検証
序文 近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]
二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積
MIS構造において、一般的には絶縁膜は1種類の単層膜だが、2つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。
高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […]
X線回折測定によるGaNの転位密度算出
エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。

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