2022年
発行日: 23-24 Aug. 2022
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10006495
L-band 1000W Single Chip Quasi Monolithic GaN Broadband Amplifier for Communication
Lバンド1000WシングルチップクワジモノリシックGaN広帯域アンプによる通信
・0.5µm GaNプロセスプラットフォームを使用して、ワイヤレス通信用の広帯域マイクロ波パワーアンプが設計された。
・出力マッチング回路はセラミックチップのマルチレベルマッチングを採用し、入力マッチング回路はGaAsクワジモノリシック技術を採用している。
・1.1-1.6GHzの周波数帯域で、100µsのパルス幅と10%のデューティサイクルで、アンプのパルス出力電力は65Vのドレイン電圧で1000W以上、パワーゲインは14dB以上、PAEは68%以上で、優れたマイクロ波性能を実現している。
発行日: 28-31 Oct. 2022
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10011229
Design Analysis of Wideband 24-40GHz GaN-on-Si SPDT Switches for 5G Millimeter-Wave Applications
5Gミリ波アプリケーション向けの広帯域24-40GHz GaN-on-Si SPDTスイッチの設計解析
・スイッチのオンとオフのチャネルをButterworth型フィルタとして扱い、挿入損失（IL）と絶縁の最適化を実現するために分析を行った
・入力ポートにはオープン回路の伝送線を追加して、入力インピーダンスのマッチングを改善した
・24-40 GHzの広帯域周波数範囲で、ILが1.4/1.65 dB未満、絶縁が28/34 dB以上という最先端の測定結果を示した
発行日: 17-19 Nov. 2022
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10002874
Development of Half-bridge IC with On-chip Drivers and Power e-HEMT Based on GaN-on-SOI Platform
GaN-on-SOIプラットフォームを基にしたオンチップドライバとパワーe-HEMTを搭載したハーフブリッジICの開発
・ハーフブリッジICは、パワーステージ、ロジック制御、ハイサイドとローサイドのドライバを1つのチップに統合している
・シミュレーション結果は、GaNハーフブリッジICを高性能電気エネルギーコンバータの一部として使用することの高いポテンシャルを示している
・この統合回路は、マルチチップハイブリッドCMOS-GaNソリューションの代替となるものである
2023年
発行日: Jan. 2023
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10008094
InAlN/GaN HEMT With n+GaN Contact Ledge Structure for Millimeter-Wave Low Voltage Applications
InAlN/GaN HEMTにおけるn+GaN接触レッジ構造を持つn+GaN再成長オーミック接触を用いたミリ波低電圧アプリケーション向けの要点は以下の通りです。
・n+GaN接触レッジ構造により、寄生抵抗をさらに低減させることができる。
・n+GaN接触レッジ構造を持つInAlN/GaN HEMTは、ピークgmと飽和電流密度が向上し、低寄生抵抗、高出力電流密度、低ニー電圧、無視できるほど低い電流子ラプスを実現する。
・30 GHz、VDS 10 Vにおいて、44%のPAEと2.5 W/mmのPoutを達成し、ミリ波低電圧アプリケーションにおいて大きな潜在能力を持つ。
発行日: Feb. 2023
https://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=10003133
Using Gate Leakage Conduction to Understand Positive Gate Bias Induced Threshold Voltage Shift in p-GaN Gate HEMTs
ゲートリーク電流を利用してp-GaNゲートHEMTにおける正のゲートバイアス誘起しきい値電圧シフトを理解するために
・ゲート電流の特性を調査し、AlGaN/GaN HEMTにおけるしきい値電圧シフトを説明する
・低バイアス範囲では熱電子放出が支配的であり、高バイアス範囲ではトラップ補助トンネリングが起こっていることが特定される
・ストレスフェーズにおけるしきい値電圧シフトを評価し、一貫したトラップレベルが見つかる
・ホール伝導を介したトラップ補助トンネリングを考慮した、負のしきい値電圧シフトを説明する物理モデルが提案される
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