二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積
MIS構造において、一般的には絶縁膜は１種類の単層膜だが、２つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。
43 articles 半導体物理
半導体物理に関する記事をまとめたカテゴリーです
高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてきている。 高誘電率絶縁膜によって、ゲート酸化膜容量が増加しドレイン電流の増加につながる。また、SiO2よりも厚…
X線回折測定によるGaNの転位密度算出
エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。
薄膜にかかる応力 ストーニーの式
基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。
LSI 層間絶縁膜の材料の変遷
LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; Sun, Q.; Fan, W.; Li, M.; Xie, M.; Fu, W. The Evolution…
SiCN膜の特性
SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。
ミラー電子顕微鏡による基板評価
パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイスはSiC基板上にエピタキシャル成長してデバイスを作成する。エピタキシャル層の品質を上げるためには、SiC基板の…
短チャネル効果とは何か 【半導体物理】
半導体デバイスは性能向上や１枚のウェハからとれるチップの数を増やしてコストを下げるため、ムーアの法則に従ってどんどん微細化が進んでいる。
ところが、デバイスの微細化に伴う副作用が発生する。それが短チャネル効果と呼ばれる現象である。本記事では、短チャネル効果について説明する。
半導体パッケージング技術, FOWLPのGaN HEMTへの適用
半導体デバイスのパッケージング技術としてFOWLP (Fan Out Wafer Level Packge)が注目を集めている。
iPhoneにFOWLPを適用したチップが採用されたのがきっかけで、FOWLPを適用したチップが増えてきている。
最近では、CPUに代表されるSiデバイスだけでなく、化合物半導体に適用する動きもある。
ここでは、5Gなどの高周波デバイスに使われるGaN HEMTにFOWLPを適用するという論文を紹介する。
【半導体】ホール測定による移動度測定
半導体において、キャリアである電子（もしくは正孔）の移動度測定は重要な物性です。 特に電子デバイスにおいてはそれが電流-電圧特性を左右しますので、実際の移動度がどのくらいなのか評価する必要があります。 キャリアの移動度を…