カテゴリー: 半導体物理

本稿では、物質の空間反転対称性の破れを利用して、デバイス内部の局所電界を非破壊かつオペランドで計測・可視化する光学的手法であるEFISHG：電界誘起二次高調波発生について、その基礎理論からデバイス評価における優位性、具体的な応用例までを解説する。

酸化ガリウム における p 型導電性の欠如は、その電子構造、熱力学的安定性、および他の酸化物と比較した際の材料特性に起因する多面的な課題です。以下に、提供された資料に基づく統合的な解説をまとめます。

論文等からまとめたAlN中の主なPL発光波長とその起因をまとめました。 中心エネルギー (eV) 波長 (nm […]

本記事では、14 MeV中性子線照射がAlGaN/GaN HEMTのスイッチング過渡特性（transient response）にどのような影響を与えるかを詳細に解析した研究
Butler, P.A. et al., IEEE Trans. Nuclear Sci., 65, 2862 (2018)
を紹介します。

high-k膜の界面構造、結晶化や相分離について分子動力学計算をもちいて解析した論文について紹介する。

半導体や絶縁体の光学的特性を調べるときによく登場するのが、フォトルミネッセンス分光です。
PLは、物質に光を照射して発光スペクトルを測定することで、電子構造・欠陥・励起子などの情報を得る手法です。
この記事では、PLの原理からZPLの物理的意味、そしてそれに関連する現象を解説します。

近年、2次元半導体であるモノレイヤーMoS₂は、その強い励起子によって可視域での優れた発光特性を示すため注目を集めています。一方、GaNは紫外〜青領域の発光材料として広く用いられており、これらを垂直に積層した2D–3Dヘテロ構造は、広帯域の光デバイスや効率的な光吸収体を作るうえで有望です。