導入 MoSe₂/WSe₂ヘテロ構造に代表される二次元遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は、**層間励起子（ […]
ポーラロンが支配するMoSe₂/WSe₂ヘテロ構造の励起子発光メカニズム
カテゴリー: 半導体物理
半導体物理に関する記事をまとめたカテゴリーです
第一原理計算（Quantum Espresso）によるフォノン計算
第一原理計算によるフォノン計算についてまとめる。
計算に使用するソフトウェアはQuantum Espressoである。
High-Power GaAs FET Amplifiers
John L.B.編集の”High-Power GaAs FET Amplifiers” […]
GaN中の点欠陥形成エネルギーを計算した論文
GaN中の点欠陥の形成エネルギーや準位を第一原理計算で計算した論文を紹介します。 タイトル：A first-p […]
【論文紹介】GaN HEMT関連の論文へのリンク集
GaN HEMT関連の論文へのリンクをまとめました。
アブストラクトの要約つきです。
結晶の単位格子の種類と面間隔の式一覧
XRDや電子線回折などを用いて結晶を評価するときや、第一原理計算で材料物性を計算するときなど、結晶の格子の面間 […]
GaN HEMTを活用し家庭用IHヒータの新たな可能性を検証
序文 近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]
二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積
MIS構造において、一般的には絶縁膜は１種類の単層膜だが、２つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。
高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […]
X線回折測定によるGaNの転位密度算出
エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。
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