2022年 発行日: 23-24 Aug. 2022 https://ieeexplore.ieee.org/ […]
カテゴリー: 半導体物理
半導体物理に関する記事をまとめたカテゴリーです
結晶の単位格子の種類と面間隔の式一覧

XRDや電子線回折などを用いて結晶を評価するときや、第一原理計算で材料物性を計算するときなど、結晶の格子の面間 […]
GaN HEMTを活用し家庭用IHヒータの新たな可能性を検証

序文 近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]
二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積

MIS構造において、一般的には絶縁膜は1種類の単層膜だが、2つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。
高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下

Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […]
X線回折測定によるGaNの転位密度算出

エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。
薄膜にかかる応力 ストーニーの式

基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。
LSI 層間絶縁膜の材料の変遷

LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; […]
SiCN膜の特性
SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。
ミラー電子顕微鏡による基板評価

パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイス […]
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