半導体物理 | sciencompass

【論文紹介】GaN HEMT関連の論文

Posted on 2023年9月18日 | By sciencompass34 | No comments

2022年発行日: 23-24 Aug. 2022 https://ieeexplore.ieee.org/ […]

結晶の単位格子の種類と面間隔の式一覧

Posted on 2023年7月31日 | By sciencompass34 | No comments

XRDや電子線回折などを用いて結晶を評価するときや、第一原理計算で材料物性を計算するときなど、結晶の格子の面間 […]

GaN HEMTを活用し家庭用IHヒータの新たな可能性を検証

Posted on 2023年6月21日 | By sciencompass34 | No comments

序文近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]

二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積

Posted on 2022年5月6日 | By sciencompass34 | No comments

MIS構造において、一般的には絶縁膜は１種類の単層膜だが、２つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。

高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下

Posted on 2022年3月8日 | By sciencompass34 | No comments

Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […]

X線回折測定によるGaNの転位密度算出

Posted on 2022年2月6日 | By sciencompass34 | No comments

エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。