GaNは青色LEDやパワーデバイスで知られる重要な半導体材料です。鉄をドープしたGaNは、高抵抗の絶縁層として使われ、HEMTなどで欠かせない材料です。
ドーピング濃度に対する抵抗率や温度依存性を理論計算を用いて詳しく解析した論文を紹介します。

導入 スマートフォンや電気自動車、太陽電池――。これらのデバイスを支えるのは、わずか数マイクロメートルの薄膜材料です。その中でも**シリコンナイトライド（SiNx）**は、絶縁性と機械的な強さ、そして光学特性のバランスが […]

人工衛星や探査機など、宇宙で動く機器には極めて過酷な環境が待っています。
強烈な放射線、極端な温度変化、無重力――こうした条件に耐える電子デバイスの開発は、宇宙技術の大きな課題の一つです。

そんな中、中国・清華大学を中心とする研究チームが行った最新研究では、2次元半導体材料（2D材料）が宇宙環境下でも優れた安定性を示すことが明らかになりました。

第一原理計算によるフォノン計算についてまとめる。
計算に使用するソフトウェアはQuantum Espressoである。

GaN中の点欠陥の形成エネルギーや準位を第一原理計算で計算した論文を紹介します。 タイトル：A first-principles understanding of point defects and impurities […]

GaN HEMT関連の論文へのリンクをまとめました。
アブストラクトの要約つきです。