導入 スマートフォンや電気自動車、太陽電池――。これらのデバイスを支えるのは、わずか数マイクロメートルの薄膜材 […]
カテゴリー: 半導体物理
半導体物理に関する記事をまとめたカテゴリーです
宇宙でも壊れない半導体?―2次元材料が切り拓く新時代の宇宙エレクトロニクス
人工衛星や探査機など、宇宙で動く機器には極めて過酷な環境が待っています。
強烈な放射線、極端な温度変化、無重力――こうした条件に耐える電子デバイスの開発は、宇宙技術の大きな課題の一つです。
そんな中、中国・清華大学を中心とする研究チームが行った最新研究では、2次元半導体材料(2D材料)が宇宙環境下でも優れた安定性を示すことが明らかになりました。
ポーラロンが支配するMoSe₂/WSe₂ヘテロ構造の励起子発光メカニズム
導入 MoSe₂/WSe₂ヘテロ構造に代表される二次元遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は、**層間励起子( […]
第一原理計算(Quantum Espresso)によるフォノン計算
第一原理計算によるフォノン計算についてまとめる。
計算に使用するソフトウェアはQuantum Espressoである。
High-Power GaAs FET Amplifiers
John L.B.編集の”High-Power GaAs FET Amplifiers” […]
GaN中の点欠陥形成エネルギーを計算した論文
GaN中の点欠陥の形成エネルギーや準位を第一原理計算で計算した論文を紹介します。 タイトル:A first-p […]
【論文紹介】GaN HEMT関連の論文へのリンク集
GaN HEMT関連の論文へのリンクをまとめました。
アブストラクトの要約つきです。
結晶の単位格子の種類と面間隔の式一覧
XRDや電子線回折などを用いて結晶を評価するときや、第一原理計算で材料物性を計算するときなど、結晶の格子の面間 […]
GaN HEMTを活用し家庭用IHヒータの新たな可能性を検証
序文 近年、多くの家庭で調理の主力としてIHクッキングヒータが広く使われるようになりました。そのシンプルで洗練 […]
二層絶縁膜におけるフラットバンドシフトの計算および界面電荷の蓄積
MIS構造において、一般的には絶縁膜は1種類の単層膜だが、2つの異なる絶縁膜を積層した構造をとる場合もある。そのときのフラットバンドシフトの計算と電圧をかけた時に絶縁膜の間に蓄積する分極電荷を計算する。

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