28 articles 半導体物理 Page 2 / 3

半導体物理に関する記事をまとめたカテゴリーです

【半導体物理】状態密度有効質量

状態密度関数を求めた際に、有効質量と表され、これを状態密度有効質量と呼びます。この状態密度有効質量がどのように導出されるのでしょうか。 まず、波数がの間にある電子の状態数は、 と表されます。 エネルギーが のとき、 とな…

【半導体物理】GaN, AlNのエネルギーバンド

半導体において、エネルギーと運動量の関係、関係は様々な半導体の物性、物理を考えるうえで重要となります。例えば、フォトンやフォノンの相互作用というのは、エネルギーと運動量が一定に保たれていますし、電子と正孔の相互作用はエネ…

【半導体物理】状態密度関数の算出

フェルミ準位の算出や半導体中のキャリア密度の算出は半導体物理の基礎とされています。例えば、半導体の伝導帯中に存在する電子数は、 であらわされます。は伝導帯の状態密度関数、は電子の状態の占有確率でフェルミ-ディラック分布の…

格子面間隔の計算方法-六方晶-

結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は六方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が…

格子面間隔の計算方法-正方晶-

結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は正方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が…

格子面間隔の計算方法-立方晶-

結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は立方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が…

【高周波トランジスタ】化合物半導体の物性

現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。ここでは、各種半導体の高周波特性に関係のある物性についてまとめます。 化合物半導体 半導体は元素半導体と化合物半導体の二種類があ…

HZB、ペロブスカイト/Siのタンデム構造太陽電池で、変換効率の新記録を達成

これまで太陽電池はSiやGaAsなどの半導体によって作成されており、現在までに25%まで効率が上がってきています。そんな中、次世代の太陽電池の材料として、ペロブスカイトが期待されています。ペロブスカイト膜は、溶液を塗布す…

GaNパワーデバイスが実用化!-Ankerジャパンの充電器-

次世代のパワーデバイスとして注目されていたGaNパワーデバイスですが、なかなか商用化されて普及してきませんでした。ところが、ついにGaN パワーデバイスが商品化するというニュースが発表されました。 ようやくGaNパワーデ…