半導体物理 | sciencompass

薄膜にかかる応力　ストーニーの式

Posted on 2021年12月28日 | By sciencompass34 | No comments

基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。

LSI 層間絶縁膜の材料の変遷

Posted on 2021年12月27日 | By sciencompass34 | No comments

LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; […]

SiCN膜の特性

Posted on 2021年12月22日 | By sciencompass34 | No comments

SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。

ミラー電子顕微鏡による基板評価

Posted on 2021年12月13日 | By sciencompass34 | No comments

パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイス […]

短チャネル効果とは何か【半導体物理】

Posted on 2021年5月30日 | By sciencompass34 | No comments

半導体デバイスは性能向上や１枚のウェハからとれるチップの数を増やしてコストを下げるため、ムーアの法則に従ってどんどん微細化が進んでいる。
ところが、デバイスの微細化に伴う副作用が発生する。それが短チャネル効果と呼ばれる現象である。本記事では、短チャネル効果について説明する。

半導体パッケージング技術, FOWLPのGaN HEMTへの適用

Posted on 2021年5月27日 | By sciencompass34 | No comments

半導体デバイスのパッケージング技術としてFOWLP (Fan Out Wafer Level Packge)が注目を集めている。
iPhoneにFOWLPを適用したチップが採用されたのがきっかけで、FOWLPを適用したチップが増えてきている。
最近では、CPUに代表されるSiデバイスだけでなく、化合物半導体に適用する動きもある。
ここでは、5Gなどの高周波デバイスに使われるGaN HEMTにFOWLPを適用するという論文を紹介する。