新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。 ここ […]
タグ: 4H-SiC
【半導体物理】Si基板上へのGaN成長【結晶成長】
GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパ […]
新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。 ここ […]
GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパ […]
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