【半導体物理】SiCの結晶構造

新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。

ここでは、その中でもデバイスに使われている主な結晶多形3つの構造を紹介します。

SiCの主な結晶多形は3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiCです。それぞれの格子定数を表1にまとめます。

表１ SiCの格子定数

	対称性
3C-SiC	F-43m	4.36	4.36
4H-SiC	P63mc	3.08	10.05
6H-SiC	P63mc	3.08	15.12

それぞれの結晶構造を図に示します。

3C-SiC

4H-SiC

6H-SiC

VESTAファイル

VESTA File [3C-SiC]

1 ファイル 9.90 KB

Download

VESTA File [4H-SiC]

1 ファイル 5.08 KB

Download

VESTA File [6H-SiC]

1 ファイル 5.51 KB

Download