新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。
ここでは、その中でもデバイスに使われている主な結晶多形3つの構造を紹介します。
SiCの主な結晶多形は3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiCです。それぞれの格子定数を表1にまとめます。
表１ SiCの格子定数
| 対称性 | ![a [\AA]](https://sciencompass.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-8b8960bf53be58c6c4c15c33e4bd8d65_l3.png "Rendered by QuickLaTeX.com") |
![c [\AA]](https://sciencompass.com/wp-content/ql-cache/quicklatex.com-6b8c280652e572c357c287371b95a233_l3.png "Rendered by QuickLaTeX.com") |
|
| 3C-SiC | F-43m | 4.36 |
4.36 |
| 4H-SiC | P63mc | 3.08 | 10.05 |
| 6H-SiC | P63mc | 3.08 | 15.12 |
それぞれの結晶構造を図に示します。
目次
3C-SiC
4H-SiC
6H-SiC
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