【半導体物理】SiCの結晶構造

新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。

ここでは、その中でもデバイスに使われている主な結晶多形3つの構造を紹介します。

SiCの主な結晶多形は3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiCです。それぞれの格子定数を表1にまとめます。

表1 SiCの格子定数

対称性 a [\AA]  c [\AA]
3C-SiC F-43m 4.36

4.36

4H-SiC P63mc 3.08 10.05
6H-SiC P63mc 3.08 15.12

それぞれの結晶構造を図に示します。

3C-SiC

4H-SiC

6H-SiC

VESTAファイル

 

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はじめまして!”あおやぎ”と言います。
メーカーで研究開発の仕事をしています。このブログでは、私の専門分野である半導体やそれに関連する内容を紹介していきます。
半導体関連の知識をまとめたデータベースのようにしたいなと思っています。

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