新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。 ここでは、その中でもデバイスに使われている主な結晶多形3つの構造を紹介します。 SiCの主な結晶多形は3C-SiC […]
【半導体物理】SiCの結晶構造
タグ: 6H-SiC
【半導体物理】Si基板上へのGaN成長【結晶成長】
GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパワーデバイス、高周波デバイスに利用されています。特に、2014年のノーベル物理学賞はGaNの結晶成長に関する研 […]
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