高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてきている。 高誘電率絶縁膜によって、ゲート酸化膜容量が増加しドレイン電流の増加につながる。また、SiO2よりも厚…
Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてきている。 高誘電率絶縁膜によって、ゲート酸化膜容量が増加しドレイン電流の増加につながる。また、SiO2よりも厚…
半導体において、キャリアである電子(もしくは正孔)の移動度測定は重要な物性です。 特に電子デバイスにおいてはそれが電流-電圧特性を左右しますので、実際の移動度がどのくらいなのか評価する必要があります。 キャリアの移動度を…
半導体の製造現場ではウェハのシート抵抗測定が行われています。その目的とシート抵抗に関係するキャリア密度について数式を用いながら、まとめていきます。 シート抵抗を測定する目的 半導体ウェハの評価項目の一つにシート抵抗測定が…