高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下 Posted on 2022年3月8日 | By sciencompass34 | No comments Si MOSFETに限らず、SiCパワーデバイス、GaN HEMTにおいても高誘電率ゲート絶縁膜が用いられてき […] Read More » 高誘電率ゲート絶縁膜のフォノン散乱による移動度低下
【半導体】ホール測定による移動度測定 Posted on 2021年4月24日 | By sciencompass34 | No comments 半導体において、キャリアである電子(もしくは正孔)の移動度測定は重要な物性です。 特に電子デバイスにおいてはそ […] Read More » 【半導体】ホール測定による移動度測定
【半導体物理】キャリア密度とシート抵抗 Posted on 2018年2月17日 | By sciencompass34 | No comments 半導体の製造現場ではウェハのシート抵抗測定が行われています。その目的とシート抵抗に関係するキャリア密度について […] Read More » 【半導体物理】キャリア密度とシート抵抗
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