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Month: 12月 2021

薄膜にかかる応力 ストーニーの式

Posted on 2021年12月28日2022年1月8日 by sciencompass34

基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。

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LSI 層間絶縁膜の材料の変遷

Posted on 2021年12月27日2021年12月27日 by sciencompass34

LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; Sun, Q.; Fan, W.; Li, M.; Xie, M.; Fu, W. The Evolution…

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SiCN膜の特性

Posted on 2021年12月22日2021年12月22日 by sciencompass34

SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。

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ミラー電子顕微鏡による基板評価

Posted on 2021年12月13日2021年12月13日 by sciencompass34

パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイスはSiC基板上にエピタキシャル成長してデバイスを作成する。エピタキシャル層の品質を上げるためには、SiC基板の…

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