X線回折測定によるGaNの転位密度算出

エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。

【XRD】各空間群の消滅則の調べ方

X線回折測定をするうえで、消滅則を把握することが大事です。ここではオンラインで公開されている結晶構造データベースを使って、消滅則を調べる方法について紹介します。 消滅則とは X線回折における消滅則とは、結晶のある指数面に…

結晶格子面のなす角を導出する

このページでは、面方位が異なる結晶格子面がなす角度を計算する方法についてまとめます。 X線回折測定をするときに非対称面を観察するためにω、2θを何度に設定すればいいのか、計算するためにまとめたものになります。 最後の結果…