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半導体物理

【半導体物理】SiCの結晶構造

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新しいパワーデバイスの材料として使用されているSiCですが、数多くの結晶多形をもつ材料としても有名です。

ここでは、その中でもデバイスに使われている主な結晶多形3つの構造を紹介します。

SiCの主な結晶多形は3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiCです。それぞれの格子定数を表1にまとめます。

表1 SiCの格子定数

対称性 a [\AA]  c [\AA]
3C-SiC F-43m 4.36

4.36

4H-SiC P63mc 3.08 10.05
6H-SiC P63mc 3.08 15.12

それぞれの結晶構造を図に示します。

3C-SiC

4H-SiC

6H-SiC

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