
基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。
基板上に薄膜を成膜することで応力がかかり、基板が反る。この時の応力を計算するのが、ストーニーの式であり、この記事ではストーニーの式の紹介と、GaN on SiCでの計算例を紹介する。
LSIにおける層間絶縁膜の変遷についてまとめられた論文を紹介する。 Hong, N.; Zhang, Y.; […]
SiCN膜の特性についてまとめ、GaN HEMTのパッシベーションおよびゲート絶縁膜として使えるかどうか考える。
パワー半導体の分野では高効率・高出力化に有利なSiCが広く使われるようになってきている。 SiCパワーデバイス […]
先日、「大英博物館ミイラ展 古代エジプト6つの物語」に行ってきました[1]。 ミイラをCTスキャンで解析し、埋 […]
Mathematicaで微分方程式を解くときのコマンドは次のとおりである。 DSolve[x”[t […]
エクセルで書こうとすると手間がかかる等高線ですが、pythonであれば簡単に描くことができます。
pythonで等高線(コンター図)を描画するプログラムはいろいろな方が紹介されていますが、その中でも私が一番良いと思うものを紹介します。
山本康正氏の本、次のテクノロジーで世界はどう変わるのか、を読みましたので、その感想をまとめます。 感想 次のテ […]
半導体デバイスは性能向上や1枚のウェハからとれるチップの数を増やしてコストを下げるため、ムーアの法則に従ってどんどん微細化が進んでいる。
ところが、デバイスの微細化に伴う副作用が発生する。それが短チャネル効果と呼ばれる現象である。本記事では、短チャネル効果について説明する。
半導体デバイスのパッケージング技術としてFOWLP (Fan Out Wafer Level Packge)が注目を集めている。
iPhoneにFOWLPを適用したチップが採用されたのがきっかけで、FOWLPを適用したチップが増えてきている。
最近では、CPUに代表されるSiデバイスだけでなく、化合物半導体に適用する動きもある。
ここでは、5Gなどの高周波デバイスに使われるGaN HEMTにFOWLPを適用するという論文を紹介する。
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