X線回折測定によるGaNの転位密度算出
エピタキシャル成長した結晶の品質をはかる指標に転位密度があげられ、転位が少ないほど品質が良い。転位密度はX線回折測定によって、各面方位の半値幅を評価することで算出することができる。この記事ではGaNのエピタキシャル層の転位密度を求めることを考え、XRD測定で得られた半値幅から転位密度に換算する式を紹介する。
GaN
半導体パッケージング技術, FOWLPのGaN HEMTへの適用
半導体デバイスのパッケージング技術としてFOWLP (Fan Out Wafer Level Packge)が注目を集めている。
iPhoneにFOWLPを適用したチップが採用されたのがきっかけで、FOWLPを適用したチップが増えてきている。
最近では、CPUに代表されるSiデバイスだけでなく、化合物半導体に適用する動きもある。
ここでは、5Gなどの高周波デバイスに使われるGaN HEMTにFOWLPを適用するという論文を紹介する。
【XRD】各空間群の消滅則の調べ方
X線回折測定をするうえで、消滅則を把握することが大事です。ここではオンラインで公開されている結晶構造データベースを使って、消滅則を調べる方法について紹介します。 消滅則とは X線回折における消滅則とは、結晶のある指数面に…
GaN, SiCパワーデバイスの市場動向(2020年7月)
パワーデバイスにSiCが使われるようになり、最近ではGaNも使われるようになり始めました。GaN, SiCパワーデバイスの市場について”Semiconductor Today”に記事が出ていたので…
【半導体物理】GaNのフェルミレベルピンニング
フェルミレベルピニングという現象が半導体ではよく知られています。これは半導体に接触する金属の種類を変えてもショットキー障壁高さが変化せず、あたかもフェルミ準位がエネルギーバンド内のある位置に固定されている(pinnig)…
【半導体物理】GaN, AlNのエネルギーバンド
半導体において、エネルギーと運動量の関係、関係は様々な半導体の物性、物理を考えるうえで重要となります。例えば、フォトンやフォノンの相互作用というのは、エネルギーと運動量が一定に保たれていますし、電子と正孔の相互作用はエネ…
格子面間隔の計算方法-六方晶-
結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は六方晶について説明します。 結晶格子の面間隔を計算する理由 結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が…
【高周波トランジスタ】化合物半導体の物性
現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。ここでは、各種半導体の高周波特性に関係のある物性についてまとめます。 化合物半導体 半導体は元素半導体と化合物半導体の二種類があ…
GaNパワーデバイスが実用化！-Ankerジャパンの充電器-
次世代のパワーデバイスとして注目されていたGaNパワーデバイスですが、なかなか商用化されて普及してきませんでした。ところが、ついにGaN パワーデバイスが商品化するというニュースが発表されました。 ようやくGaNパワーデ…
GaNの光電気化学反応
LEDやパワーデバイスに使われているGaNの光電気化学反応について紹介します。ここでは、光電気化学セルと光電気化学エッチングの２つを紹介します。 GaNを用いた光電気化学セル 光電気化学セルとは？ 光電気化学セルとは太陽…