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GaN, SiCパワーデバイスの市場動向(2020年7月)

パワーデバイスにSiCが使われるようになり、最近ではGaNも使われるようになり始めました。GaN, SiCパワーデバイスの市場について”Semiconductor Today”に記事が出ていたので…

フェルミレベルピニングという現象が半導体ではよく知られています。これは半導体に接触する金属の種類を変えてもショットキー障壁高さが変化せず、あたかもフェルミ準位がエネルギーバンド内のある位置に固定されている(pinnig)…

半導体において、エネルギーと運動量の関係、関係は様々な半導体の物性、物理を考えるうえで重要となります。例えば、フォトンやフォノンの相互作用というのは、エネルギーと運動量が一定に保たれていますし、電子と正孔の相互作用はエネ…

結晶格子の面間隔を計算する方法について、紹介します。今回は六方晶について説明します。結晶格子の面間隔を計算する理由結晶構造を調べる際の代表的な手法の一つにX線回折(XRD: X-Ray Diffraction)測定が…

現在のスマートフォンや衛星通信を支える高周波デバイスには化合物半導体が広く用いられています。ここでは、各種半導体の高周波特性に関係のある物性についてまとめます。化合物半導体半導体は元素半導体と化合物半導体の二種類があ…

次世代のパワーデバイスとして注目されていたGaNパワーデバイスですが、なかなか商用化されて普及してきませんでした。ところが、ついにGaN パワーデバイスが商品化するというニュースが発表されました。ようやくGaNパワーデ…

LEDやパワーデバイスに使われているGaNの光電気化学反応について紹介します。ここでは、光電気化学セルと光電気化学エッチングの２つを紹介します。 GaNを用いた光電気化学セル光電気化学セルとは？光電気化学セルとは太陽…

GaNはバンドギャップの大きな半導体材料であり、そのバンドギャップの大きさを利用して、青色から紫外のLEDやパワーデバイス、高周波デバイスに利用されています。特に、2014年のノーベル物理学賞はGaNの結晶成長に関する研…